igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。
 

由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。
 

igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應(yīng)用中，單個元件電壓可達4.okv（pt結(jié)構(gòu)）一6.5kv（npt結(jié)構(gòu)），電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。